Y40145K62000T9R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla Y40145K62000T9R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla Y40145K62000T9R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup Y40145K62000T9R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
Y40145K62000T9R
- Part Number:
- Y40145K62000T9R
- Producent:
- Vishay Precision Group
- Opis:
- FRST0805 5K6200 TCR2.5 0.01% S T
- Wielkość zbiorów:
- 33327 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- Y40145K62000T9R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.01% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±2.5ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0805 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.080" L x 0.050" W (2.03mm x 1.27mm) |
| Seria: | FRST |
| Tryb panel: | 5.62 kOhms |
| Moc (W): | 0.2W, 1/5W |
| Opakowania: | Strip |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 220°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.025" (0.64mm) |
| cechy: | Non-Inductive |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 5.62 kOhms ±0.01% 0.2W, 1/5W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) Non-Inductive Metal Foil |
| Kompozycja: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do Y40145K62000T9R
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny