Y14720R02500E9W jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla Y14720R02500E9W, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla Y14720R02500E9W przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup Y14720R02500E9W z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
Y14720R02500E9W
- Part Number:
- Y14720R02500E9W
- Producent:
- Vishay Precision Group
- Opis:
- RES 0.025 OHM 0.2% 2W 3637
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23072 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- Y14720R02500E9W.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.2% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±20ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.360" L x 0.370" W (9.14mm x 9.40mm) |
| Seria: | CSM3637S |
| Tryb panel: | 25 mOhms |
| Moc (W): | 2W |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 804-1177 Y14720R02500E9W-ND |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 170°C |
| Liczba zakończeń: | 4 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 25 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.035" (0.89mm) |
| cechy: | Current Sense, Moisture Resistant |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 25 mOhms ±0.2% 2W Chip Resistor Nonstandard Current Sense, Moisture Resistant Metal Foil |
| Kompozycja: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do Y14720R02500E9W
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash