Y090016K0000T0L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla Y090016K0000T0L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla Y090016K0000T0L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup Y090016K0000T0L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
Y090016K0000T0L
- Part Number:
- Y090016K0000T0L
- Producent:
- Vishay Precision Group
- Opis:
- RES 16K OHM .01%
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 31119 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- Y090016K0000T0L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.01% |
| Współczynnik temperaturowy: | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | - |
| Seria: | S302 |
| Tryb panel: | 16 kOhms |
| Moc (W): | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | - |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 19 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 16 kOhms ±0.01% Through Hole Resistor Metal Foil |
| Kompozycja: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do Y090016K0000T0L
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC