Y01111M29064S9L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla Y01111M29064S9L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla Y01111M29064S9L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup Y01111M29064S9L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
Y01111M29064S9L
- Part Number:
- Y01111M29064S9L
- Producent:
- Vishay Precision Group
- Opis:
- RES 1.29064M OHM 1.2W 0.001% AXL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54630 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- Y01111M29064S9L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.001% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±2ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.500" Dia x 1.500" L (12.70mm x 38.10mm) |
| Seria: | H |
| Tryb panel: | 1.29064 MOhms |
| Moc (W): | 1.2W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Axial |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 21 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Non-Inductive |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 1.29064 MOhms ±0.001% 1.2W Through Hole Resistor Axial Non-Inductive Metal Foil |
| Kompozycja: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do Y01111M29064S9L
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash