Y007330R0000B0L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla Y007330R0000B0L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla Y007330R0000B0L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup Y007330R0000B0L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
Y007330R0000B0L
- Part Number:
- Y007330R0000B0L
- Producent:
- Vishay Precision Group
- Opis:
- RES 30 OHM 1/4W 0.1% RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 52526 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- Y007330R0000B0L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±8ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.250" L x 0.125" W (6.35mm x 3.18mm) |
| Seria: | VRM |
| Tryb panel: | 30 Ohms |
| Moc (W): | 0.25W, 1/4W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.290" (7.36mm) |
| cechy: | Non-Inductive |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 30 Ohms ±0.1% 0.25W, 1/4W Through Hole Resistor Radial Non-Inductive Metal Foil |
| Kompozycja: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do Y007330R0000B0L
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC