XP0553100L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla XP0553100L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla XP0553100L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup XP0553100L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
XP0553100L
- Part Number:
- XP0553100L
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- TRANS 2NPN 10V 0.05A SMINI6
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40924 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- XP0553100L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 10V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 500mV @ 4mA, 20mA |
| Typ tranzystora: | 2 NPN (Dual) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SMINI6-G1 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 150mW |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Inne nazwy: | XP0553100LDKR |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 2.5GHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 10V 50mA 2.5GHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 75 @ 5mA, 4V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 10µA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do XP0553100L
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash