XLL52V265.250000I jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla XLL52V265.250000I, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla XLL52V265.250000I przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup XLL52V265.250000I z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
XLL52V265.250000I
- Part Number:
- XLL52V265.250000I
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- OSC VCXO 265.25MHZ LVDS SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54110 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.XLL52V265.250000I.pdf2.XLL52V265.250000I.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.5V |
| Rodzaj: | VCXO |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.203" L x 0.132" W (5.15mm x 3.35mm) |
| Seria: | XPRESSO™ FVXO-LC52 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Strip |
| Package / Case: | 6-SMD, No Lead |
| Wydajność: | LVDS |
| Inne nazwy: | FVXO-LC52BR-265.25 FVXO-LC52BR-265.25-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.055" (1.40mm) |
| Funkcjonować: | Enable/Disable |
| Stabilność częstotliwości: | - |
| Częstotliwość: | 265.25MHz |
| szczegółowy opis: | 265.25MHz VCXO LVDS Oscillator 2.5V Enable/Disable 6-SMD, No Lead |
| Obecny - Dostawa (Max): | 44mA |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | - |
| Rezonator bazowy: | Crystal |
| Całkowity zasięg ciągnięcia (APR): | ±50ppm |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do XLL52V265.250000I
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash