XCKU15P-1FFVE1760E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla XCKU15P-1FFVE1760E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla XCKU15P-1FFVE1760E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup XCKU15P-1FFVE1760E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
XCKU15P-1FFVE1760E
- Part Number:
- XCKU15P-1FFVE1760E
- Producent:
- Xilinx
- Opis:
- XCKU15P-1FFVE1760E
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45737 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.XCKU15P-1FFVE1760E.pdf2.XCKU15P-1FFVE1760E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 0.825 V ~ 0.876 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 82329600 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1760-FCBGA (42.5x42.5) |
| Seria: | Kintex® UltraScale+™ |
| Package / Case: | 1760-BBGA, FCBGA |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 100°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 1143450 |
| Ilość Labs / CLBs: | 65340 |
| Liczba I / O: | 668 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do XCKU15P-1FFVE1760E
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny