XCKU11P-L2FFVA1156E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla XCKU11P-L2FFVA1156E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla XCKU11P-L2FFVA1156E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup XCKU11P-L2FFVA1156E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
XCKU11P-L2FFVA1156E
- Part Number:
- XCKU11P-L2FFVA1156E
- Producent:
- Xilinx
- Opis:
- XCKU11P-L2FFVA1156E
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24360 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.XCKU11P-L2FFVA1156E.pdf2.XCKU11P-L2FFVA1156E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 0.698 V ~ 0.876 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 53964800 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1156-FCBGA (35x35) |
| Seria: | Kintex® UltraScale+™ |
| Package / Case: | 1156-BBGA, FCBGA |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 100°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 653100 |
| Ilość Labs / CLBs: | 37320 |
| Liczba I / O: | 464 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do XCKU11P-L2FFVA1156E
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny