WSLT2512R0180FEB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla WSLT2512R0180FEB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla WSLT2512R0180FEB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup WSLT2512R0180FEB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
WSLT2512R0180FEB
- Part Number:
- WSLT2512R0180FEB
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES SMD 0.018 OHM 1% 1W 2512
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38941 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.WSLT2512R0180FEB.pdf2.WSLT2512R0180FEB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 1W |
| Napięcie - Podział: | 2512 |
| Grubość (maks): | ±75ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.250" L x 0.125" W (6.35mm x 3.18mm) |
| Seria: | WSLT |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 2512 (6432 Metric) |
| Inne nazwy: | WSLTB-.018TR |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 275°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 32 Weeks |
| Numer części producenta: | WSLT2512R0180FEB |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.035" (0.89mm) |
| cechy: | Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 0.018 Ohm ±1% 1W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding Metal Element |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±1% |
| Opis: | RES SMD 0.018 OHM 1% 1W 2512 |
| Okładziny, Typ obudowy: | Metal Element |
| Pasmo: | 0.018 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do WSLT2512R0180FEB
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił