VVZB120-16IO1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VVZB120-16IO1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VVZB120-16IO1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VVZB120-16IO1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VVZB120-16IO1
- Part Number:
- VVZB120-16IO1
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- RECT BRIDGE 3PH 120V 1600V V2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36963 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VVZB120-16IO1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 1.6kV |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 1.5V |
| Struktura: | Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | V2-PAK |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Ilość SCR, diody: | 3 SCRs, 3 Diodes |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SCR Module 1.6kV Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Chassis Mount V2-PAK |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 120A |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 750A @ 50MHz |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 200mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 100mA |
| Podstawowy numer części: | VVZB |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VVZB120-16IO1
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash