VVY40-16IO1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VVY40-16IO1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VVY40-16IO1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VVY40-16IO1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VVY40-16IO1
- Part Number:
- VVY40-16IO1
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- MODULE THYRISTOR 1600V V1 PAC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59368 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VVY40-16IO1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 1.6kV |
| Struktura: | Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Module |
| temperatura robocza: | - |
| Ilość SCR, diody: | 2 SCRs, 4 Diodes |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SCR Module 1.6kV Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes Chassis Mount Module |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 34A |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 320A @ 50Hz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VVY40-16IO1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny