VUO82-16NO7 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VUO82-16NO7, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VUO82-16NO7 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VUO82-16NO7 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VUO82-16NO7
- Part Number:
- VUO82-16NO7
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- 3-PHASE RECTIFIER BRIDGE
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24790 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VUO82-16NO7.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 1.6kV |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.6V @ 150A |
| Technologia: | Standard |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PWS-D |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | PWS-D |
| Inne nazwy: | Q1955189 VUO8216NO7 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Three Phase |
| szczegółowy opis: | Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.6kV Chassis Mount PWS-D |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 300µA @ 1600V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 88A |
| Podstawowy numer części: | VUO82 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VUO82-16NO7
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC