VS-VSKV162/16PBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VS-VSKV162/16PBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VS-VSKV162/16PBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VS-VSKV162/16PBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VS-VSKV162/16PBF
- Part Number:
- VS-VSKV162/16PBF
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- SCR MODULE 1600V 355A INTAPAK
- Wielkość zbiorów:
- 44215 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VS-VSKV162/16PBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 1600V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 2.5V |
| Struktura: | Common Cathode - All SCRs |
| Seria: | - |
| Package / Case: | INT-A-PAK (3) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Ilość SCR, diody: | 1 SCR |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 28 Weeks |
| szczegółowy opis: | SCR Module 1600V 355A Common Cathode - All SCRs Chassis Mount INT-A-PAK (3) |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 355A |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 160A |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 4870A, 5100A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 200mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VS-VSKV162/16PBF
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny