VS-SD603C22S20C jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VS-SD603C22S20C, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VS-SD603C22S20C przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VS-SD603C22S20C z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VS-SD603C22S20C
- Part Number:
- VS-SD603C22S20C
- Producent:
- Opis:
- DIODE MODULE 2.2KV 600A B-43
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59942 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.VS-SD603C22S20C.pdf2.VS-SD603C22S20C.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 600A |
| Napięcie - Podział: | B-43, Hockey PUK |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | - |
| Polaryzacja: | B-43, PUK |
| Inne nazwy: | *SD603C22S20C SD603C22S20C VS-SD603C22S20C-ND VSSD603C22S20C VSSD603C22S20C-ND |
| Temperatura pracy - złącze: | 2µs |
| Rodzaj mocowania: | Stud Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | VS-SD603C22S20C |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 2200V (2.2kV) 600A Stud Mount B-43, Hockey PUK |
| Diode Configuration: | 45mA @ 2200V |
| Opis: | DIODE MODULE 2.2KV 600A B-43 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 2.97V @ 1885A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 2200V (2.2kV) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VS-SD603C22S20C
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash