VS-111CNQ045APBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VS-111CNQ045APBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VS-111CNQ045APBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VS-111CNQ045APBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VS-111CNQ045APBF
- Part Number:
- VS-111CNQ045APBF
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D618
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40839 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VS-111CNQ045APBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 610mV @ 55A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 45V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D-61-8 |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | D-61-8 |
| Inne nazwy: | *111CNQ045APBF 111CNQ045APBF VS-111CNQ045APBF-ND VS111CNQ045APBF VS111CNQ045APBF-ND |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 36 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Schottky |
| Diode Configuration: | 1 Pair Common Cathode |
| szczegółowy opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 55A Chassis Mount D-61-8 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.5mA @ 45V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 55A |
| Podstawowy numer części: | 111CNQ045 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VS-111CNQ045APBF
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash