VRB3-D48-S12-DIP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VRB3-D48-S12-DIP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VRB3-D48-S12-DIP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VRB3-D48-S12-DIP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VRB3-D48-S12-DIP
- Part Number:
- VRB3-D48-S12-DIP
- Producent:
- CUI, Inc.
- Opis:
- DC DC CONVERTER 12V 3W
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58728 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VRB3-D48-S12-DIP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście 3: | - |
| Napięcie - Wyjście 2: | - |
| Napięcie - Wyjście 1: | 12V |
| Napięcie - Izolacja: | 1.5kV |
| Napięcie - Wejście (Min): | 36V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 72V |
| Rodzaj: | Isolated Module |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.25" L x 0.79" W x 0.39" H (31.8mm x 20.1mm x 9.9mm) |
| Seria: | VRX3-DIP |
| Moc (W): | 3W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 24-DIP Module, 10 Leads |
| Inne nazwy: | VRB3D48S12DIP |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | SCP |
| Wydajność: | 79% |
| szczegółowy opis: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 12V 250mA 36V - 72V Input |
| Obecny - Wyjście (Max): | 250mA |
| Aplikacje: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VRB3-D48-S12-DIP
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny