VLM13580T-2R2M-D1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VLM13580T-2R2M-D1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VLM13580T-2R2M-D1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VLM13580T-2R2M-D1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VLM13580T-2R2M-D1
- Part Number:
- VLM13580T-2R2M-D1
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- FIXED IND 2.2UH 10.5A 3.9 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35773 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VLM13580T-2R2M-D1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.531" L x 0.480" W (13.50mm x 12.20mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | VLM |
| oceny: | AEC-Q200 |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100kHz |
| Indukcyjność: | 2.2µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.327" (8.30mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 10.5A 3.9 mOhm Max Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 3.9 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 10.5A |
| Obecny - Nasycenie: | 20A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VLM13580T-2R2M-D1
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC