VLF302512MT-1R5N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VLF302512MT-1R5N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VLF302512MT-1R5N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VLF302512MT-1R5N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VLF302512MT-1R5N
- Part Number:
- VLF302512MT-1R5N
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- FIXED IND 1.5UH 2.54A 44 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30753 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VLF302512MT-1R5N.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±30% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.118" L x 0.098" W (3.00mm x 2.50mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | VLF-MT |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 445-6779-2 VLF302512MT1R5N |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 1MHz |
| Indukcyjność: | 1.5µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 2.54A 44 mOhm Max Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 44 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 2.54A |
| Obecny - Nasycenie: | 1.85A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VLF302512MT-1R5N
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash