VLA546-01R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VLA546-01R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VLA546-01R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VLA546-01R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VLA546-01R
- Part Number:
- VLA546-01R
- Producent:
- Powerex, Inc.
- Opis:
- ACCESSORY-GATE DRIVER
- Status bezołowiowy:
- Zgodny z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53805 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VLA546-01R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 14 V ~ 17 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Seria: | - |
| Status RoHS: | RoHS Compliant |
| Czas narastania / spadku (typ): | 300ns, 300ns |
| Package / Case: | 14-SIP Module, 10 Leads |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 85°C |
| Częstotliwość wejściowa: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | - |
| Typ wejścia: | TTL |
| Typ bramy: | IGBT |
| Konfiguracja napędzana: | Low-Side |
| szczegółowy opis: | Low-Side Gate Driver IC TTL |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | - |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VLA546-01R
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny