VJ2225Y103KBRAT4X jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VJ2225Y103KBRAT4X, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VJ2225Y103KBRAT4X przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VJ2225Y103KBRAT4X z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VJ2225Y103KBRAT4X
- Part Number:
- VJ2225Y103KBRAT4X
- Producent:
- Vishay / Vitramon
- Opis:
- CAP CER 10000PF 1.5KV X7R 2225
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54138 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VJ2225Y103KBRAT4X.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 1500V (1.5kV) |
| Tolerancja: | 10000pF |
| Grubość (maks): | X7R |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.226" L x 0.250" W (5.74mm x 6.35mm) |
| Seria: | VJ OMD |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | Boardflex Sensitive |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 2225 (5763 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Numer części producenta: | VJ2225Y103KBRAT4X |
| Lead Style: | 0.086" (2.18mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Soft Termination, High Voltage |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| Rozszerzony opis: | 10000pF ±10% 1500V (1.5kV) Ceramic Capacitor X7R 2225 (5763 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±10% |
| Opis: | CAP CER 10000PF 1.5KV X7R 2225 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VJ2225Y103KBRAT4X
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC