VG7050ECN-SM20T008-DJGLPF3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VG7050ECN-SM20T008-DJGLPF3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VG7050ECN-SM20T008-DJGLPF3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VG7050ECN-SM20T008-DJGLPF3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VG7050ECN-SM20T008-DJGLPF3
- Part Number:
- VG7050ECN-SM20T008-DJGLPF3
- Producent:
- Epson
- Opis:
- OSC VCXO 2.5V ACT LO/LO Z SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53298 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.5V |
| Rodzaj: | VCXO |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| Seria: | VG7050ECN |
| oceny: | - |
| Programowalny Rodzaj: | Blank (User Must Program) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 10-SMD, No Lead |
| Wydajność: | LVPECL |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 21 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość: | 0.067" (1.70mm) |
| Funkcjonować: | Standby |
| Stabilność częstotliwości (ogółem): | ±50ppm |
| Stabilność częstotliwości: | - |
| szczegółowy opis: | VCXO LVPECL 50MHz ~ 800MHz Programmable Oscillator 2.5V Standby 10-SMD, No Lead |
| Obecny - Dostawa (Max): | 90mA |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | 70mA |
| Rezonator bazowy: | Crystal |
| Dostępne Zakres częstotliwości: | 50MHz ~ 800MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VG7050ECN-SM20T008-DJGLPF3
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe