VG-4513CA 125.0000M-GGCT3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VG-4513CA 125.0000M-GGCT3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VG-4513CA 125.0000M-GGCT3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VG-4513CA 125.0000M-GGCT3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VG-4513CA 125.0000M-GGCT3
- Part Number:
- VG-4513CA 125.0000M-GGCT3
- Producent:
- Epson
- Opis:
- OSC VCXO 125.0000MHZ LVPECL SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32965 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3.3V |
| Rodzaj: | VCXO |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| Seria: | VG-4513CA |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-SMD, No Lead |
| Wydajność: | LVPECL |
| Inne nazwy: | SER4217TR X1G004141101812 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 21 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.071" (1.80mm) |
| Funkcjonować: | Enable/Disable |
| Stabilność częstotliwości: | - |
| Częstotliwość: | 125MHz |
| szczegółowy opis: | 125MHz VCXO LVPECL Oscillator 3.3V Enable/Disable 6-SMD, No Lead |
| Obecny - Dostawa (Max): | 65mA |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | - |
| Rezonator bazowy: | Crystal |
| Całkowity zasięg ciągnięcia (APR): | ±50ppm |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VG-4513CA 125.0000M-GGCT3
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC