VC5E10 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla VC5E10, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla VC5E10 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup VC5E10 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
VC5E10
- Part Number:
- VC5E10
- Opis:
- RES 10 OHM 5% 5W AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49379 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- VC5E10.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±150ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Axial |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.276" Dia x 1.000" L (7.01mm x 25.40mm) |
| Seria: | VC |
| Tryb panel: | 10 Ohms |
| Moc (W): | 5W |
| Package / Case: | Axial |
| Inne nazwy: | VC5E10HSC |
| temperatura robocza: | - |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Non-Inductive |
| szczegółowy opis: | 10 Ohms ±5% 5W Through Hole Resistor Axial Non-Inductive Wirewound |
| Kompozycja: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VC5E10
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny