V23720A0002A001 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla V23720A0002A001, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla V23720A0002A001 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup V23720A0002A001 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
V23720A0002A001
- Part Number:
- V23720A0002A001
- Producent:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Opis:
- RELAY CONTACTOR SPST 250A 12V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55294 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 7 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | - |
| Termination Style: | Screw Terminal |
| przełączanie napięcia: | 450VDC - Nom |
| Seria: | EVC 250 |
| Czas Release: | 25ms |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | 4-1904065-7 PB1986 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Czas zadziałania: | 25ms |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 250A |
| Materiał styków: | Silver Alloy |
| Formularz kontaktowy: | SPST-NO (DM) (1 Form X) |
| Napięcie cewki: | 12VDC |
| Coil Resistance: | 36 Ohms |
| cewka zasilania: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do V23720A0002A001
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe