ULT2H1R8MNL1GS jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ULT2H1R8MNL1GS, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ULT2H1R8MNL1GS przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ULT2H1R8MNL1GS z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ULT2H1R8MNL1GS
- Part Number:
- ULT2H1R8MNL1GS
- Producent:
- Nichicon
- Opis:
- CAP ALUM 1.8UF 20% 500V SMD
- Wielkość zbiorów:
- 37802 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 500V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.327" L x 0.327" W (8.30mm x 8.30mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| Seria: | ULT |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 20mA @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 30mA @ 10kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | Radial, Can - SMD |
| Inne nazwy: | 493-17651-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 28 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 125°C |
| Główny odstęp: | - |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.433" (11.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | - |
| szczegółowy opis: | 1.8µF 500V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 125°C |
| Pojemność: | 1.8µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ULT2H1R8MNL1GS
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny