UH3C-M3/9AT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla UH3C-M3/9AT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla UH3C-M3/9AT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup UH3C-M3/9AT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
UH3C-M3/9AT
- Part Number:
- UH3C-M3/9AT
- Producent:
- Opis:
- DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39205 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- UH3C-M3/9AT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 2.5A |
| Napięcie - Podział: | DO-214AB, (SMC) |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | 42pF @ 4V, 1MHz |
| Polaryzacja: | DO-214AB, SMC |
| Temperatura pracy - złącze: | 40ns |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 35 Weeks |
| Numer części producenta: | UH3C-M3/9AT |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 150V 2.5A Surface Mount DO-214AB, (SMC) |
| Diode Configuration: | 5µA @ 150V |
| Opis: | DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.05V @ 3A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 150V |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do UH3C-M3/9AT
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen