UBT2E470MHD8TN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla UBT2E470MHD8TN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla UBT2E470MHD8TN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup UBT2E470MHD8TN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
UBT2E470MHD8TN
- Part Number:
- UBT2E470MHD8TN
- Producent:
- Nichicon
- Opis:
- CAP ALUM 47UF 20% 250V THRU HOLE
- Wielkość zbiorów:
- 46843 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.UBT2E470MHD8TN.pdf2.UBT2E470MHD8TN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 250V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.630" Dia (16.00mm) |
| Seria: | UBT |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 225mA @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 337.5mA @ 100kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Package / Case: | Radial, Can |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 29 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 125°C |
| Główny odstęp: | 0.295" (7.50mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.063" (27.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | - |
| szczegółowy opis: | 47µF 250V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 125°C |
| Pojemność: | 47µF |
| Aplikacje: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do UBT2E470MHD8TN
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash