TYN1008RG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TYN1008RG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TYN1008RG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TYN1008RG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TYN1008RG
- Part Number:
- TYN1008RG
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- SCR 1000V 8A TO220AB
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38244 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TYN1008RG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Na członkowskim (VTM) (max): | 1.6V |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 1kV |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 1.5V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AB |
| Seria: | - |
| Rodzaj SCR: | Standard Recovery |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | 497-4482-5 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SCR 1kV 8A Standard Recovery Through Hole TO-220AB |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 8A |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 5A |
| Obecny - Off State (max): | 5µA |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 80A, 84A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 45mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 25mA |
| Podstawowy numer części: | T*N*8 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TYN1008RG
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash