TUSB211QRWBRQ1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TUSB211QRWBRQ1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TUSB211QRWBRQ1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TUSB211QRWBRQ1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TUSB211QRWBRQ1
- Part Number:
- TUSB211QRWBRQ1
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC SIGNAL COND USB 2.0 12X2QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29498 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TUSB211QRWBRQ1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3.3V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 12-X2QFN (1.6x1.6) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 12-XFQFN |
| Inne nazwy: | 296-42716-2 TUSB211QRWBRQ1-ND |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | USB |
| szczegółowy opis: | Signal Processing Interface 12-X2QFN (1.6x1.6) |
| Aplikacje: | Signal Processing |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TUSB211QRWBRQ1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny