TS5N412PWR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TS5N412PWR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TS5N412PWR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TS5N412PWR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TS5N412PWR
- Part Number:
- TS5N412PWR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC FET MUX/DEMUX SGL 16TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58822 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TS5N412PWR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | - |
| Czas przełączania (Ton, Toff) (maks.): | 200ns, 200ns |
| Przełącznik: | SPDT |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-TSSOP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Inne nazwy: | TS5N412PWRE4 TS5N412PWRE4-ND TS5N412PWRG4 TS5N412PWRG4-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Oporność na terenie (maks.): | 12.5 Ohm |
| Liczba obwodów: | 4 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | 2:1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 4 Circuit IC Switch 2:1 12.5 Ohm 16-TSSOP |
| Prąd - wyciek (IS (wyłączony)) (maks.): | - |
| Przesłuchy: | -50dB @ 25MHz |
| Wtrysk ładowania: | - |
| Dopasowanie kanału do kanału (ΔRon): | - |
| Kanał (Capacitance) (CS (wyłączone), CD (wyłączone)): | - |
| Podstawowy numer części: | TS5N412 |
| 3dB Pasmo: | 25MHz (Min) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TS5N412PWR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash