TS3A44159TD2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TS3A44159TD2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TS3A44159TD2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TS3A44159TD2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TS3A44159TD2
- Part Number:
- TS3A44159TD2
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC SWITCH QUAD SPDT DIE
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 26494 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TS3A44159TD2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | 1.65 V ~ 4.3 V |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | - |
| Czas przełączania (Ton, Toff) (maks.): | 23ns, 32ns |
| Przełącznik: | SPDT |
| Seria: | - |
| temperatura robocza: | 25°C |
| Oporność na terenie (maks.): | 450 mOhm |
| Liczba obwodów: | 4 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | 2:1 |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | 4 Circuit IC Switch 2:1 450 mOhm |
| Prąd - wyciek (IS (wyłączony)) (maks.): | 20nA |
| Przesłuchy: | -73dB @ 100kHz |
| Wtrysk ładowania: | 139pC |
| Dopasowanie kanału do kanału (ΔRon): | 50 mOhm |
| Kanał (Capacitance) (CS (wyłączone), CD (wyłączone)): | 50pF |
| 3dB Pasmo: | 35MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TS3A44159TD2
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC