TPS65130RGERG4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TPS65130RGERG4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TPS65130RGERG4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TPS65130RGERG4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TPS65130RGERG4
- Part Number:
- TPS65130RGERG4
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC REG BUCK BST INV ADJ DL 24QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38675 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TPS65130RGERG4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 3.2V, -2V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 15V, -15V |
| Napięcie - Wejście (Min): | 2.7V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 5.5V |
| topologia: | Boost, Buck-Boost |
| synchroniczny prostownik: | No |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 24-VQFN (4x4) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 24-VFQFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | Adjustable |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive and Negative (Dual Rail) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba wyjść: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Step-Up, Step-Up/Step-Down |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 1.38MHz |
| szczegółowy opis: | Boost, Buck-Boost Switching Regulator IC Positive and Negative (Dual Rail) Adjustable 3.2V, -2V 2 Output 700mA (Switch) 24-VFQFN Exposed Pad |
| Obecny - Wyjście: | 700mA (Switch) |
| Podstawowy numer części: | TPS65130 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TPS65130RGERG4
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash