TPS60301DGSG4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TPS60301DGSG4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TPS60301DGSG4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TPS60301DGSG4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TPS60301DGSG4
- Part Number:
- TPS60301DGSG4
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC REG SWTCHD CAP 2VIN/3V 10MSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48337 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TPS60301DGSG4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 2Vin, 3V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | - |
| Napięcie - Wejście (Min): | 0.9V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 1.8V |
| topologia: | Charge Pump |
| synchroniczny prostownik: | No |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-VSSOP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Ratiometric, Step-Up |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 700kHz |
| szczegółowy opis: | Charge Pump Switching Regulator IC Positive Fixed 2Vin, 3V 2 Output 40mA, 20mA 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Obecny - Wyjście: | 40mA, 20mA |
| Podstawowy numer części: | TPS60301 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TPS60301DGSG4
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash