TNY376DG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TNY376DG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TNY376DG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TNY376DG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TNY376DG
- Part Number:
- TNY376DG
- Producent:
- Power Integrations
- Opis:
- IC OFFLINE SWIT UVLO 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34684 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TNY376DG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | - |
| Napięcie - Podział: | 700V |
| topologia: | Flyback |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SO-8C |
| Seria: | TinySwitch®-PK |
| Moc (W): | 19W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads |
| Izolacja wyjście: | Isolated |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Przełącznik wewnętrzny (e): | Yes |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 132kHz ~ 264kHz |
| Ochrona usterek: | Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage |
| Cykl pracy: | 65% |
| szczegółowy opis: | Converter Offline Flyback Topology 132kHz ~ 264kHz SO-8C |
| Funkcje sterowania: | EN |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TNY376DG
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash