TN3050H-12GY-TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TN3050H-12GY-TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TN3050H-12GY-TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TN3050H-12GY-TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TN3050H-12GY-TR
- Part Number:
- TN3050H-12GY-TR
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- SCR 1.2KV 19A D2PAK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20817 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TN3050H-12GY-TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Na członkowskim (VTM) (max): | 1.65V |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 1.2kV |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 1.3V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D2PAK |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®1 |
| Rodzaj SCR: | Sensitive Gate |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy: | 497-17100-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SCR 1.2kV 30A Sensitive Gate Surface Mount D2PAK |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 30A |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 19A |
| Obecny - Off State (max): | 5µA |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 300A, 330A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 100mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TN3050H-12GY-TR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny