TM4C129LNCZADT3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TM4C129LNCZADT3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TM4C129LNCZADT3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TM4C129LNCZADT3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TM4C129LNCZADT3
- Part Number:
- TM4C129LNCZADT3
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC MCU 32BIT 1MB FLASH 212NFBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43668 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TM4C129LNCZADT3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 2.97 V ~ 3.63 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 212-NFBGA (10x10) |
| Prędkość: | 120MHz |
| Seria: | Tiva™ C |
| Wielkość pamięci RAM: | 256K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 1MB (1M x 8) |
| Peryferia: | Brown-out Detect/Reset, DMA, Motion Control PWM, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 212-VFBGA |
| Inne nazwy: | 296-37956 |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Liczba I / O: | 140 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | 6K x 8 |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M4F Tiva™ C Microcontroller IC 32-Bit 120MHz 1MB (1M x 8) FLASH 212-NFBGA (10x10) |
| Konwertery danych: | A/D 24x12b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M4F |
| Łączność: | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, IrDA, QEI, SPI, SSI, UART/USART, USB OTG |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TM4C129LNCZADT3
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC