TLV4112IDGN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLV4112IDGN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLV4112IDGN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLV4112IDGN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLV4112IDGN
- Part Number:
- TLV4112IDGN
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC OPAMP GP 2.7MHZ RRO 8MSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59713 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLV4112IDGN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | - |
| Napięcie - Wejście offset: | 0.3pA |
| Napięcie - Podział: | 8-MSOP-PowerPad |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tube |
| Polaryzacja: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | Rail-to-Rail |
| Inne nazwy: | 296-34491-5 TLV4112IDGN-ND TLV4112IDGNG4 TLV4112IDGNG4-ND |
| Orientacja: | 2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba bitów / stages: | 175µV |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalna moc wyjściowa x Kanały @ obciążenia: | General Purpose |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | TLV4112IDGN |
| Rozszerzony opis: | General Purpose Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-MSOP-PowerPad |
| Opis: | IC OPAMP GP 2.7MHZ RRO 8MSOP |
| Obecny - Dostawa (Główny IC): | 2.5 V ~ 6 V |
| Obecny - Dostawa: | 700µA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 2.7MHz |
| Kanały na IC: | 320mA |
| 3dB Pasmo: | 1.57 V/µs |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLV4112IDGN
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS