TLV1391IDBVT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLV1391IDBVT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLV1391IDBVT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLV1391IDBVT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLV1391IDBVT
- Part Number:
- TLV1391IDBVT
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC DIFF COMPARATOR SNGL SOT23-5
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32505 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLV1391IDBVT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 2 V ~ 7 V |
| Napięcie - Wejście offset (Max): | 5mV @ 5V |
| Rodzaj: | Differential |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-5 |
| Seria: | - |
| Opóźnienie propagacji (Max): | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-74A, SOT-753 |
| Typ wyjścia: | Open Collector |
| Inne nazwy: | 296-32365-2 TLV1391IDBVT-ND TLV1391IDBVTE4 TLV1391IDBVTE4-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Ilość elementów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Histereza: | - |
| szczegółowy opis: | Comparator Differential Open Collector SOT-23-5 |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 175µA |
| Obecny - Wyjście (Typ): | 20mA |
| Obecny - Wejście diagonalna (Max): | 0.25µA @ 5V |
| CMRR, PSRR (Typ): | - |
| Podstawowy numer części: | TLV1391 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLV1391IDBVT
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC