TLP3555A(F jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLP3555A(F, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLP3555A(F przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLP3555A(F z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLP3555A(F
- Part Number:
- TLP3555A(F
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- SSR RELAY SPST-NO 3A 0-60V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26894 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLP3555A(F.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Obciążenie: | 0V ~ 60V |
| Napięcie - Wejście: | 1.64VDC |
| Termination Style: | PC Pin |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 4-DIP |
| Seria: | TLP3555A |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Typ wyjścia: | AC, DC |
| Inne nazwy: | TLP3555A(F(O |
| Oporność na terenie (maks.): | 100 mOhms |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Prąd ładowania: | 3A |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Solid State SPST-NO (1 Form A) 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Obwód: | SPST-NO (1 Form A) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLP3555A(F
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny