TLP293-4(V4GBTPE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLP293-4(V4GBTPE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLP293-4(V4GBTPE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLP293-4(V4GBTPE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLP293-4(V4GBTPE
- Part Number:
- TLP293-4(V4GBTPE
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40471 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLP293-4(V4GBTPE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 16-SO |
| Vce Nasycenie (Max): | 3µs, 3µs |
| Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ): | 600% @ 5mA |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) |
| Typ wyjścia: | Transistor |
| Inne nazwy: | TLP293-4(V4GBTPE(T TLP293-4(V4GBTPETR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba kanałów: | 4 |
| Hałas - od 0,1 Hz do 10 Hz: | 80V |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | TLP293-4(V4GBTPE |
| Kit Type: | 300mV |
| Typ wejścia: | DC |
| Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap): | 2µs, 3µs |
| Rozszerzony opis: | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 4 Channel 16-SO |
| Opis: | OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16 |
| Obecny współczynnik przenikania (min): | 50mA |
| Obecny współczynnik przenikania (Max): | 100% @ 5mA |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 1.25V |
| Obecny - Breakover: | 3750Vrms |
| Kanały na IC: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLP293-4(V4GBTPE
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025