TLP290-4(GB-TP,E) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLP290-4(GB-TP,E), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLP290-4(GB-TP,E) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLP290-4(GB-TP,E) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLP290-4(GB-TP,E)
- Part Number:
- TLP290-4(GB-TP,E)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- OPTOISOLTR 2.5KV 4CH TRANS 16-SO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58336 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.TLP290-4(GB-TP,E).pdf2.TLP290-4(GB-TP,E).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 80V |
| Napięcie - Izolacja: | 2500Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.2V |
| Vce Nasycenie (Max): | 400mV |
| Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ): | 3µs, 3µs |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SO |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 2µs, 3µs |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) |
| Typ wyjścia: | Transistor |
| Inne nazwy: | TLP290-4(GB-TPE(TCT TLP290-4(GB-TPE(TCT-ND TLP290-4(GB-TPE)CT TLP290-4(GB-TPECT TLP290-4(GB-TPECT-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 110°C |
| Liczba kanałów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | AC, DC |
| szczegółowy opis: | Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 4 Channel 16-SO |
| Obecny współczynnik przenikania (min): | 100% @ 5mA |
| Obecny współczynnik przenikania (Max): | 400% @ 5mA |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 50mA |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLP290-4(GB-TP,E)
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash