TLC339IPW jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TLC339IPW, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TLC339IPW przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TLC339IPW z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TLC339IPW
- Part Number:
- TLC339IPW
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC DIFF COMPARATOR QUAD 14-TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46668 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TLC339IPW.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 3 V ~ 16 V |
| Napięcie - Wejście offset (Max): | 5mV @ 10V |
| Rodzaj: | General Purpose |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-TSSOP |
| Seria: | LinCMOS™ |
| Opóźnienie propagacji (Max): | 4.5µs |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Typ wyjścia: | CMOS, Open-Drain |
| Inne nazwy: | 296-41918-5 TLC339IPW-ND TLC339IPWG4 TLC339IPWG4-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Ilość elementów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Histereza: | - |
| szczegółowy opis: | Comparator General Purpose CMOS, Open-Drain 14-TSSOP |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 125µA |
| Obecny - Wyjście (Typ): | 20mA |
| Obecny - Wejście diagonalna (Max): | 5pA @ 5V |
| CMRR, PSRR (Typ): | 84dB CMRR |
| Podstawowy numer części: | TLC339 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TLC339IPW
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny