TL064BCDR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TL064BCDR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TL064BCDR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TL064BCDR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TL064BCDR
- Part Number:
- TL064BCDR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC OPAMP JFET 1MHZ 14SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43222 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TL064BCDR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V |
| Napięcie - Wejście offset: | 3mV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-SOIC |
| Szybkość narastania: | 3.5 V/µs |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | - |
| Inne nazwy: | 296-14990-2 TL064BCDRE4 TL064BCDRE4-ND TL064BCDRG4 TL064BCDRG4-ND |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Liczba obwodów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zysk Bandwidth Product: | 1MHz |
| szczegółowy opis: | J-FET Amplifier 4 Circuit 14-SOIC |
| Obecny - Dostawa: | 200µA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 30pA |
| Podstawowy numer części: | TL064B |
| Amplifier Type: | J-FET |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TL064BCDR
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe