TJA1021TK/10/C,118 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TJA1021TK/10/C,118, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TJA1021TK/10/C,118 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TJA1021TK/10/C,118 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TJA1021TK/10/C,118
- Part Number:
- TJA1021TK/10/C,118
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC TXRX LIN 2.1 SAE J2602 8HVSON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33307 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TJA1021TK/10/C,118.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 5.5 V ~ 27 V |
| Rodzaj: | Transceiver |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-HVSON (3x3) |
| Seria: | - |
| Histereza odbiornika: | 175mV |
| Protokół: | LINbus |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 568-8675-2 935285395118 TJA1021TK/10/C,118-ND TJA1021TK10C118 |
| temperatura robocza: | - |
| Liczba kierowców / odbiorników: | 1/1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Dupleks: | Full |
| szczegółowy opis: | 1/1 Transceiver Full LINbus 8-HVSON (3x3) |
| Szybkość przesyłania danych: | - |
| Podstawowy numer części: | TJA1021 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TJA1021TK/10/C,118
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash