TIP120 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TIP120, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TIP120 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TIP120 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TIP120
- Part Number:
- TIP120
- Producent:
- Central Semiconductor
- Opis:
- TRANS NPN DARL 60V 5A TO220AB
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 30779 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TIP120.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 60V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 4V @ 20mA, 5A |
| Typ tranzystora: | NPN - Darlington |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220 |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | TIP120CS |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 4MHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4MHz Through Hole TO-220 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 3A, 3V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 500µA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TIP120
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny