TIC206M-S jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TIC206M-S, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TIC206M-S przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TIC206M-S z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TIC206M-S
- Part Number:
- TIC206M-S
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33774 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TIC206M-S.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 600V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 2V |
| triaka: | Logic - Sensitive Gate |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220 |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 110°C (TC) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 4A Through Hole TO-220 |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 4A |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 25A @ 50Hz |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 15mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 5mA |
| Konfiguracja: | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TIC206M-S
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC