THS6212IRHFT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla THS6212IRHFT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla THS6212IRHFT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup THS6212IRHFT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
THS6212IRHFT
- Part Number:
- THS6212IRHFT
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC LINE DRIVE AMP DIFF 24VQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43276 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- THS6212IRHFT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 28 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 24-VQFN (5x4) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 24-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 296-44215-2 THS6212IRHFT-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | - |
| zawiera: | - |
| Funkcjonować: | Amplifier |
| szczegółowy opis: | Telecom IC Amplifier 24-VQFN (5x4) |
| Obecny - Dostawa: | 21mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do THS6212IRHFT
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC