TEA1521T/N2,518 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TEA1521T/N2,518, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TEA1521T/N2,518 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TEA1521T/N2,518 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TEA1521T/N2,518
- Part Number:
- TEA1521T/N2,518
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC CTRLR SMPS OVP OTP HV 14SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31102 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TEA1521T/N2,518.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 7.5 V ~ 40 V |
| Napięcie - uruchomienie: | 9.5V |
| Napięcie - Podział: | 650V |
| topologia: | Flyback |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-SO |
| Seria: | STARplug™ |
| Moc (W): | 30W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Izolacja wyjście: | Isolated |
| Inne nazwy: | 568-2334-2 935269965518 TEA1521TD-T |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 145°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Przełącznik wewnętrzny (e): | Yes |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 10kHz ~ 200kHz |
| Ochrona usterek: | Current Limiting, Over Temperature, Short Circuit |
| Cykl pracy: | 75% |
| szczegółowy opis: | Converter Offline Flyback Topology 10kHz ~ 200kHz 14-SO |
| Funkcje sterowania: | Frequency Control |
| Podstawowy numer części: | TEA1521 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TEA1521T/N2,518
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC