TDA7377A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TDA7377A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TDA7377A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TDA7377A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TDA7377A
- Part Number:
- TDA7377A
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IC AMP AUDIO PWR MULTIWATT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36026 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TDA7377A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 8 V ~ 18 V |
| Rodzaj: | Class AB |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Seria: | - |
| Opakowania: | - |
| Package / Case: | - |
| Typ wyjścia: | 2-Channel (Stereo) or 4-Channel (Quad) |
| temperatura robocza: | - |
| Rodzaj mocowania: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalna moc wyjściowa x Kanały @ obciążenia: | 35W x 2 @ 4 Ohm; 10W x 4 @ 2 Ohm |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Depop, Short-Circuit and Thermal Protection, Standby |
| szczegółowy opis: | Amplifier IC 2-Channel (Stereo) or 4-Channel (Quad) Class AB |
| Podstawowy numer części: | TDA7377A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TDA7377A
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC